Pad CMP 3M™ Trizact™
Stock 3M
B40045199
Performances et efficacité hautement reproductibles dans la fabrication de semi-conducteurs avec les pads CMP 3M™ Trizact™.
La pression est forte pour que le processus CMP dans la fabrication des semi-conducteurs soit performant et économiquement cohérent. La demande d'augmentation continue du rendement ne laisse aucune place aux variations dans la production d'une usine qui risquent de provoquer des déchets ou de compromettre la fiabilité des appareils. Plutôt que de choisir entre une plus grande efficacité de la planarisation et une meilleure performance en matière de défauts, choisissez les deux. Vous souhaitez utiliser un conditionneur de pad Diamant ? Oubliez ça. Choisissez de redéfinir votre procédé CMP avec les pads CMP 3M™ Trizact™.
Travaillons ensemble. Contactez-nous pour nous faire part de vos derniers défis en matière de procédés et bénéficiez de l'assistance directe d'une équipe d'experts techniques dévoués. Profitez ensuite d'un échantillonnage local et d'itérations de produits grâce aux capacités mondiales de laboratoire et de fabrication.
Au cœur de chaque pad CMP 3M™ Trizact™ se trouve la micro-réplication, une plateforme technologique centrale de 3M qui nous permet de créer avec précision des structures 3D durables et microscopiques sur la surface du pad.
Ce processus hautement contrôlé et réglable organise les aspérités et les pores en cellules unitaires indépendantes pour permettre un polissage et une pression uniformes sur tout le wafer, ce qui est idéal pour les technologies avancées. Après plus de 1 000 passages de wafer, les pads microrépliqués de 3M ont conservé leur intégrité dimensionnelle - montrant une usure plus de 15 fois inférieure à celle d'un pad conventionnel [1, p. 6].
Les pads CMP microrépliqués de 3M ont démontré une stabilité, une répétabilité et une uniformité très constantes d'un wafer à l'autre sur au moins 2 000 passages de wafers, mesurées par des niveaux inférieurs de non-uniformité intra-filière (WIDNU), par rapport aux pads conventionnels [1, p. 5]. Lors des essais, les pads CMP 3M™ Trizact™ ont présenté une WIDNU de hauteur de grille réduite de plus de 30 % et une épaisseur « top-of-gate dielectric » WIDNU de plus de 40 %.
Source : [1] (en anglais) A Microreplicated Pad for Tungsten Chemical-Mechanical Planarization
Les pads CMP 3M™ Trizact™ planarisent rapidement, avec précision et de manière uniforme. Là où un pad conventionnel pourrait devoir déposer une couche d'oxyde épaisse et inefficace de plus de 2 000 angströms (Å) sur une couche de nitrure de silicium pour laisser une marge de manœuvre à une planarisation imprécise, les pads 3M n'ont besoin que de 65 % de cette quantité.
Cela permet d'économiser à la fois le dépôt d'oxyde et le slurry utilisé pour le procédé CMP. De plus, moins de matière à enlever signifie moins de temps passé à polir. Les tests ont démontré une réduction de plus de 50 % du temps nécessaire à l'élimination d'une couche d'oxyde par rapport à un pad diamanté conventionnel.
Notre large gamme de conditionneurs de pads CMP 3M™ répond aux besoins des procédés à travers différentes applications, de la constance microrépliquée des conditionneurs de pads 3M™ Trizact™ pour les technologies avancées, aux disques sertis de diamants et aux brosses souples économiques pour les technologies existantes.
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